台灣與立陶宛擴大合作　布局AI先進封裝與次世代半導體

台灣與立陶宛國際科研合作再邁大步！工研院今（9/4）日於 SEMICON 展會現場，與立陶宛雷射協會和物理科學暨科技中心、台灣 TEEIA、電電公會簽署合作備忘錄，聚焦半導體先進封裝異質整合雷射技術，攜手搶攻全球高階半導體商機。

今日在簽署儀式會場，出席者包括外交部部長林佳龍、經濟部產業技術司司長郭肇中及立陶宛貿易代表處代表裴凱倫（Karolis Pilipauskas）；工研院院長張培仁、立陶宛雷射協會會長Gediminas Račiukaitis、立陶宛物理科學暨科技中心副主任Romualdas Trusovas、台灣電子製造設備工業同業公會理事長林士青及台灣區電機電子工業同業公會理事苑竣唐等產官代表。

外交部部長林佳龍表示，台灣與立陶宛再次攜手合作，將雷射技術擴大運用在我國先進半導體封裝製程尤其具有指標性，不僅因為這是我政府匯集外交部、經濟部等跨部會及研究機構力量，支持推動台立「韌性計畫2.0」的第一個合作案，更是展現台灣作為半導體產業世界龍頭，透過與理念相近國家合作，共同強化雷射及半導體產業供應鏈韌性的重要里程碑。

經濟部產業技術司司長郭肇中表示，台灣與立陶宛合作結合立陶宛雷射源與台灣半導體優勢，助攻設備商切入先進封裝、推進設備自主，2023年成立超快雷射研發中心至今，已帶動立陶宛雷射源導入供應鏈設備商，創造15億元產值；經濟部將持續深化雙邊技術互補與人才交流，加速拓展次世代製程應用，攜手搶攻全球高階半導體供應鏈商機。

工研院院長張培仁表示，本次合作聚焦兩大主軸：一是引進立陶宛高功率與低功耗雷射源，結合台灣數位雷射成像、AI調控及高精度掃描模組；二是瞄準前瞻製程，共同開發機台整合，鎖定AI伺服器散熱、光纖陣列（FAU）、碳化矽（SiC）與鑽石基板等應用，加速新材料驗證，期待助國內設備商搶攻先進封裝商機，提升產業競爭力。

立陶宛貿易代表處代表裴凱倫表示，自2023年台灣與立陶宛共同成立超快雷射創新研發中心以來，雙方在精密雷射與半導體優勢深度對接，本次簽署將引進新世代雷射源並拓展先進晶片製造應用，擴大立陶宛零組件供應，同時助攻台灣產業跟進AI技術浪潮，感謝台灣政府長期支持，共創此次經貿合作的新里程碑。

本次兩年期計畫由我方挹資560萬歐元，以及雙方共同進行先進雷射技術研發，並透過國際研討會、產學研交流與技術媒合，促進雙方產業交流與合作，預計5年內可為國內業者創造逾新台幣5億元產業效益，為台灣次世代半導體供應鏈再添關鍵競爭優勢。