三星發表CUBE策略　將與台灣半導體生態系深度合作　強調共創共榮

SEMICON國際半導體展論壇活動進入第二日，記憶體高峰論壇今天(9/1)下午登場，全球三大記憶體原廠三星、SK海力士、美光高層同台亮相。三星記憶體產品規劃部門副總裁崔璋石在論壇中，正式發表「CUBE」策略，宣示全面轉向 3D 垂直整合架構。他也強調，台灣半導體生態系展現了卓越的整合精神，下世代 3D-IC 必須兼顧結構穩定與散熱設計，三星很榮幸能與世界級的台灣半導體生態系深度合作，共創共榮。

三星電子記憶體產品規劃部門副總裁 Jangseok Choi（崔璋石）於SEMICON Taiwan 記憶體高峰論壇，以「開啟智慧新維度，以 3D 整合技術驅動 AI 時代」為主題進行演講。

隨著 Agentic AI（AI代理）世代來臨，系統需具備即時推理與自主決策能力，傳統 2D 與 2.5D 晶片架構已難以滿足龐大的資料傳輸與散熱需求。

崔璋石在演講中指出，三星 CUBE 策略是以全面的半導體設計與製造能力推動 3D 架構發展，聚焦四大核心面向，解決 AI 資料中心與裝置端 AI（On-device AI）的瓶頸：

首先在容量方面，透過垂直擴展，在不增加印刷電路板（PCB）面積的前提下大幅提升容量。

其次，在利用率部分，優化邏輯晶片與記憶體配置，降低整體傳輸延遲。

第三，在頻寬部分，則以垂直的高速通道取代傳統水平傳輸，大幅擴充頻寬。另在效率方面，則聚焦功耗與散熱控制，將單一位元傳輸能耗降至最低，極大化每瓦效能。

路線圖曝光！全新突破性3D記憶體zHBM登場

在 HBM（高頻寬記憶體）演進方面，三星已於今年五月出貨業界首款 12 層 HBM4E 樣品。當系統在單一 GPU 配置 4 個 HBM4E 堆疊時，可提供高達 16 TB/s 的天量頻寬，相較於 HBM4，每瓦效能提升 20%、熱阻降低 10%。

崔璋石表示，目前已著手開發的 HBM5，目標效能提升 2 倍，每瓦效能與熱阻表現同步改善 20%。而更引人矚目的是從 2.5D 跨入 3D 垂直整合的突破性架構 zHBM。

他進一步解釋，傳統 HBM 將記憶體與處理器並排放置於中介層上，而 zHBM 則將記憶體直接垂直堆疊於處理器之上。對比 HBM4E，zHBM 的目標是將效能最高提升 8 倍、每瓦效能提升 3 倍，熱阻更巨幅降低 75% 至 90%。

3D儲存解決方案zNAND-O預計2028年發布

針對裝置端 AI 嚴苛的工作負載需求，三星提出全新 3D 儲存解決方案 zNAND-O。該技術結合最新 V10 BV-NAND 快閃記憶體與直通矽晶穿孔（TSV）技術，透過 3D 封裝垂直堆疊多個 V-NAND 晶片。

zNAND-O 與神經網路處理器（NPU）經由 UCIe 標準介面整合於單一封裝內，其位元密度高達 DRAM 的 10 倍，讀取頻寬亦達傳統 NAND Flash 的7倍。三星宣布，計劃於2028年開始推出 zNAND-O 樣品。

導入混合銅鍵合　攜手台灣半導體生態系共創共榮

在先進封裝製程上，三星採用晶圓對晶圓鍵合（Wafer-on-Wafer Bonding）突破極細微間距限制，並運用混合銅鍵合（Hybrid Copper Bonding, HCB）大幅降低熱阻。

崔璋石強調，三星具備從記憶體、邏輯晶片、晶圓代工到先進封裝的整合能力。台灣半導體生態系展現了卓越的整合精神，下世代 3D-IC 必須兼顧結構穩定與散熱設計，三星很榮幸能與世界級的台灣夥伴深度合作，共同釋放 3D 運算的無限潛力。