突破極限微縮！ASML揭High NA藍圖：助攻台灣先進製程

半導體設備巨頭艾司摩爾（ASML）於 SEMICON Taiwan 2026「先進製程科技論壇」中，由 High NA EUV 產品管理副總裁 Greet Storms 親自揭示最新 High NA EUV（高數值孔徑極紫外光，0.55NA）技術的重大突破與商業化進展。

Greet Storms 在演講中表示，全球 High NA EUV 累計曝光晶圓數已正式突破135萬片，且經過認證的 EXE:5200B 機台在驗收測試中已達到每小時135片晶圓（WPH）的高產能，標誌著 High NA EUV 正式邁入高量產階段。

ASML 指出，隨著客戶曝光量急遽增加，學習曲線正加速推進。截至2026年7月，全球已有10套 High NA EUV 系統順利運作並符合全規格，另有3套正在運送與安裝中。

目前整體系統可用率已提升至84%，並預計於2026年第四季達成90%的目標，長期更將朝93%邁進。Greet Storms 表示，ASML 將成熟 NXE 平台的診斷與問題防範經驗全面導入 EXE 系統，大幅確保生產穩定性。

在實際商業應用上，High NA EUV 已達成極具象徵意義的里程碑，也就是首次應用於高量產邏輯產品。英特爾已於2026年第二季財報中確認，其採用 ASML EXE High NA EUV 技術的 Intel 18A 製程，已正式量產代號為「Panther Lake」的 Intel Core Ultra 第 3 代系列處理器。

相較於上一代 0.33 NA 的多重曝光繁複工序，0.55 NA 單次曝光能顯著提升製程經濟效益。藉由取代複雜的多重電路圖案設計，High NA EUV 可直接大幅減少掩模（Mask）層數與缺陷率，同時縮短晶圓生產週期與總體成本。

在關鍵應用支援上：

1. DRAM 記憶體：High NA EUV 的強大成像能力可深度支援高達 5 個 2D DRAM 微縮節點（從 1C、1D 延伸至 0A、0B、0C、0D）。
2. 先進邏輯製程：能從 2nm、1.4nm 一路支援至 0.7nm 與 0.5nm 節點。
3. 對焦與拼接解方：透過晶片調平演算法、對焦修正與 148mm 晶圓夾具，預期對焦容許範圍可達 30nm 以上；針對半曝光視場（Half Field）需求，則提供 175µm 拼接補償區域，靈活解決 Logic 與 DRAM（僅特定奇數列需拼接）的設計挑戰。

Greet Storms 表示，High NA EUV 帶來的效益不單僅是提升微影解析度，更為2D晶片版圖設計帶來全新設計機會。由於 0.55 NA 擁有極高的解析力與對比度，可以直接進行2D金屬單次曝光，取代過去0.33 NA 所需的兩層1D金屬層與一層通孔層。這項設計優勢不僅能大幅優化互連層布線、減少金屬層總數與電阻/電容損耗，更能直接提升邏輯單元密度，為晶片設計工程師提供龐大的設計彈性與效能提升。

為實現可負擔的微縮，ASML 規劃了超過10年的穩定 0.55 NA 技術路線圖。隨著光源功率從目前的 600W 逐步提升至700W、800W乃至1000W，配合晶圓/光罩搬運速度優化與碳奈米管薄膜的導入，其中，EXE:5200B目前已達到175 WPH與135 WPH，而EXE:5200C / EXE:5200D產能將逐步成長至 190～195 WPH。至於EXE:5400E預計在本十年末（By end of this decade）正式登場，驗收測試產能將推升至 180 WPH（AB模式），AA 模式更可達210 WPH。

Greet Storms 最後表示，結合更高的解析度、單次曝光降本效益、持續拉升的生產力以及穩健的10年架構延伸性，High NA EUV 將持續扮演下世代半導體先進製造不可或缺的核心推手。