三星釋下一代3D記憶體方案 讀取頻寬翻7倍zNAND-O 2028年送樣
2026-09-01 14:34
三星電子記憶體產品規劃部門副總裁Jangseok Choi(崔璋石)今天參與國際半導體記憶體高峰論壇,三星今天也釋出「CUBE」策略,全面推動3D架構發展,打造下一代3D記憶體與儲存解決方案,包含zHBM及zNAND-O,解決AI資料中心及裝置端AI(on-device AI)不同環境下的瓶頸,大幅提升效能。zNAND-O針對裝置端AI需求而設計,位元密度為DRAM的10倍,讀取頻寬為傳統NAND Flash的7倍,預計2028年開始推出zNAND-O樣品。