快訊／台積電宣布：自2030年起導入艾司摩爾High NA技術

艾司摩爾（ASML）與台積電今日（9/8）宣布發起合作，雙方將共同引領半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光（EUV）微影光罩。台積電並宣布，該公司有意自2030年起，在先進製程量產中導入艾司摩爾的 High NA 技術。

據指出，艾司摩爾（ASML）這款High NA設備要價高達4億美元，台積電原本對此抱持謹慎態度，導入進度也相對英特爾、三星慢，如今台積電已決定從2030年起導入High NA設備，2031年前建置12吋光罩測試產線，目標2033年把12吋光罩和High NA設備導入先進製程量產。

High NA EUV自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩後，預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製造成本，並消除需要兩張6吋光罩在High NA EUV曝光時進行拼接的限制，使整個半導體產業受惠。此轉移能讓先進晶片製造服務提供者充分利用High NA EUV的優勢，更提升未來世代先進晶片的成本效益。

艾司摩爾總裁暨執行長Christophe Fouquet表示：「我們預期，隨著元件微縮藍圖的推進，High NA EUV的採用將逐步提升。初期透過沿用現行的6吋光罩，而後導入12吋光罩以進一步提升設備生產力，讓產業能夠滿足市場對更小、更快、更節能晶片的需求。我們很高興這項合作在初期便獲得半導體製造廠商、光罩廠商、以及合作夥伴的大力支持。」

台積電董事長暨總裁魏哲家表示：「台積公司深信，唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的無限可能。藉由匯聚產業價值鏈的專業能力，我們期許透過持續創新來降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及，進而持續傳遞尖端技術的價值。」

台積電有意自2030年起，在先進製程量產中導入艾司摩爾的High NA技術。隨著製程技術持續推進，特別是在AI應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下，台積公司預期需要使用 High NA EUV 曝光的光罩層數將隨之增加。

艾司摩爾與台積電7日於加州蒙特雷舉辦的BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布發起產業合作，以共同推動轉移升級至12吋光罩，並計劃於2031年之前建立12吋光罩試產線，為2033年12吋High NA微影系統導入先進製程量產奠定基礎。

眾多關鍵生態系統夥伴與供應商均出席此活動，並表達對該轉移的參與意願，突顯出產業對此的廣泛支持。