力保記憶體王座！三星發表最新AI記憶體技術　密度提升近6成

南韓半導體巨擘三星電子週二（8/4）發表最新一代AI記憶體技術，稱將大幅提升記憶體密度近6成，可滿足AI系統對儲存設備的增長需求。

三星電子（Samsung Electronics）週二在加州的「記憶體與儲存未來」（Future of Memory and Storage, FMS）大會上發表最新AI記憶體V10 Bonding V-NAND（簡稱BV-NAND）晶片原型。該晶片具有超過400層堆疊結構，並導入新晶圓鍵合技術（wafer-bonding），可進一步提升儲存密度，同時增強讀寫效能。



三星表示，BV-NAND 比前一代 V9 NAND 的記憶體密度提升了約 58%，同時改善了讀取、寫入和輸入/輸出效能，以滿足 AI 系統對更高容量和更具能源效率之儲存設備日益增長的需求。

該公司還展示業界首款 zHBM和zNAND-O 架構的概念模型，勾勒出對下一代 3D 記憶體的願景，該技術透過垂直堆疊記憶體儲存更多資料。

與傳統高頻寬記憶體（HBM）不同的是，zHBM乃直接垂直堆疊在AI處理器上方，而非平行放置在旁，可縮短資料傳輸距離，並同時強化能源效率。三星表示，其晶圓鍵合技術可讓記憶體晶片密度達傳統HBM記憶體的10倍以上，並將能源效率提高3倍，並降低一半以上的熱阻。

路透社報導指出，隨著AI應用迅速擴展，市場對高容量記憶體的需求急遽增加。花旗（Citi）分析師在上個月的一份報告中指出，儘管市場擔憂終端需求放緩，但 DRAM 和 NAND 供應鏈的庫存仍遠低於歷史水準。