韓媒：三星將委託台積電3奈米製程生產記憶體　以符合輝達要求

南韓媒體週日（18日）報導，南韓兩大記憶體巨頭之一的三星電子，將委託台積電使用3奈米製程，生產輝達（Nvidia）所需要的客製化高頻寬記憶體（HBM）。

《首爾經濟新聞》（Seoul Economic Daily）引述知情人士消息報導說，輝達已經要求生產其今年8月發表的客製化HBM「NVHBM」的三大廠商，三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）及美光科技（Micron），都須採用台積電的3奈米製程來製造基礎晶粒（Base Die）。

報導指出，三星過去曾在HBM記憶體晶片與輝達圖形處理器晶片（GPU）連接時，借助台積電的先進封裝技術。但這次將是第一次，三星的記憶體基礎晶粒要交給台積電代工，不再由三星獨力完成HBM記憶體的整體生產。

這些HBM記憶體與GPU連結構成的系統，是當前人工智慧（AI）運算能力的核心基礎。該報導說，輝達提出統一由台積電3奈米產線生產NVHBM基礎晶粒，是因為各家記憶體供應商生產方式若有差異，將會影響最終輝達AI產品的表現效能。

這一舉動也意在分擔各記憶體廠商目前產線爆滿的負荷，自家就有晶圓代工廠的三星電子，考慮過後決定接受輝達的要求。

不過，在NVHBM以外的標準型HBM，三星電子仍將維持全由自己生產的方式，例如對另一AI晶片大廠超微（AMD）的供貨。三星也保留日後自家生產NVHBM的可能性，進行產線驗證，若是台積電產能不夠便能接手多出的訂單。