【記憶體夯甚麼2-1】AI啟動超級循環！DRAM產值將破兆　HBM迎客製化時代

在 AI 資料中心與算力基礎建設的狂潮下，2026 年全球記憶體市場正迎來史無前有250%的爆發性成長。這波由 AI 掀起的巨浪，不僅將推動半導體產業步入超級循環，更徹底重塑了產業本質。記憶體產業正揮別過去大起大落的「劇烈景氣循環」標籤，正式蛻變為具備「高獲利、低週期性、高穩定度」的關鍵戰略資產。

根據研調數據指出，受惠於 AI 強勁需求，HBM（高頻寬記憶體）市場規模節節攀升，預計將由2025年的350億美元，至2028年暴增到1,000億美元。這波由 AI 驅動的需求與獲利強度，已明顯超越2000年的網路泡沫時期。

工研院產科國際所經理吳松輝指出，在 AI 模型參數與運算力呈指數級增長的雙重驅動下，全球迎來了強勁的記憶體超級循環。由於新廠建置需3~ 5年，供給遠趕不上需求，預計整體市場供需至2027年底才會達到平衡。

突破記憶體牆：HBM4邁向客製化革命

他進一步指出，為了克服處理器與記憶體之間的資料傳輸瓶頸（記憶體牆，Memory Wall），HBM 結合 CoWoS 等先進封裝技術，已成為決定 AI 算力效率的核心關鍵元件。

面對即將到來的 HBM4 世代，將正式開啟「客製化 Base Die」全新戰場。吳松輝分析，目前全球 HBM 市場由 SK海力士、三星、美光三大巨頭完全壟斷，各家在封裝技術上呈現不同的流派對決。

SK 海力士憑藉 MR-MUF（批量回流模塑底部填充）技術在散熱與黏合速度上取得優勢，暫時領跑；三星與美光則深耕 TC-NCF（熱壓非導電薄膜）技術，在12層與16層的堆疊極限上激烈競爭。未來HBM封裝將朝HCB（Hybrid Copper Bonding;混合銅鍵合）技術邁進，以最大化散熱及堆疊效能。


當 HBM 往20層以上的高難度堆疊邁進時，產業將面臨嚴格的厚度限制與散熱難題。從下一代 HBM4 開始，輝達等大客戶要求導入「客製化」設計，要求記憶體廠與晶圓代工廠協同，針對底層的基礎邏輯晶圓（Base Die）進行客製化微調，以對接其 AI 晶片架構。

吳松輝指出，DRAM 為了突破微縮極限，正朝向 3D 垂直通道電晶體（VCT）架構發展；而 NAND Flash 也憑藉低成本與大容量優勢，成功轉身成「AI 推論記憶體階層」，用以處理大量的上下文快取需求。

他強調，未來的 AI 伺服器架構將徹底打破傳統的記憶體分類。將走向「分層式、客製化」的記憶體資源，使系統能根據不同的 AI 訓練或推理工作負載，動態配置最合適的記憶體頻寬與容量，HBM 擔綱效能核心、DRAM 作為系統基礎，搭配 NAND 成為容量支柱，三者分工明確的新記憶體架構，全面釋放 AI 算力潛能。



供需嚴重失衡：DRAM挑戰兆元產值

IDC半導體與新興科技研究副總裁 Soo-kyoum Kim 近日表示，自2026年起，全球記憶體需求重心已全面由 PC、手機等消費級應用，移轉至伺服器、HBM 及企業級 SSD。高階伺服器成為吸收高昂成本的主要市場，預計2027將在 AI 需求推動下迎來10%的正成長。

他進一步指出，三星、SK 海力士與美光等原廠正將12吋產能移往 HBM 生產所需的 1b 與 1c 先進節點。預估2027年第四季，這類先進製程將佔全球總產能一半，但這些產能已被長期供應協議（LTA）與 AI 大客戶全數綁定。


Soo-kyoum Kim認為，由於2027年以前可開出的全新晶圓廠極為有限，供需吃緊將一路延續至 2027年第四季。直到2028~2029年新廠產能大量釋出，供需才可望平衡。IDC預估，在2027至 2028年間，DRAM 將成為歷史上第一個產值突破「1兆美元」的單一零組件。