【記憶體夯甚麼2-2】大廠產能排擠引爆轉單潮！台廠搶下AI紅利

隨著 Meta 與輝達等科技巨頭陸續導入 CXL 新世代架構與 Vera Rubin 晶片，全球記憶體產業正迎來一場前所未有的「架構與產能大重整」。當三大記憶體原廠將產能全力鎖定高毛利的 HBM 與先進製程時，主流市場的產能排擠效應，已意外為台廠打開一扇大門。從 DDR4 的退出紅利到 NOR Flash 的規格升級，台灣半導體供應鏈正憑藉其獨特的靈活性，穩健卡位這波由巨頭外溢出來的黃金商機。



CXL技術落地：Meta重塑記憶體架構

Meta 旗下自研晶片 Vistara ASIC，透過 CXL （Compute Express Link;快速運算連結）技術重塑資料中心記憶體架構，代表 CXL 從概念走向規模化部署。它成功讓單台伺服器達到1TB的記憶體總容量，並在軟體端實現動態頁面遷移，大幅延長已折舊硬體資產的營運生命週期；將促使 AI 伺服器走向 HBM、DDR5/MRDIMM、CXL 與 SSD 並存的多層式（Multi-tier）架構。


在此趨勢下，美光、SK海力士、三星以及控制晶片大廠都是直接受惠的業者。國泰投顧認為，雖然群聯並非 CXL 記憶體或控制晶片的直接供應商，但隨著資料中心記憶體層級日趨複雜，高階企業級 SSD 控制晶片、資料壓縮與儲存卸載等需求暴增，群聯也成為關鍵受惠的台廠之一。



吃下大廠退出紅利：台廠迎風起飛

華南投顧指出，DRAM 市場有80%屬主流型如高容量 DDR4、DDR5，應用於資料中心與 PC；另有20%屬利基型，應用於工控與醫療領域的DDR3與低容量 DDR4。目前全球供給由三星、美光、SK海力士三大原廠壟斷95%份額，中國長鑫存儲約占2~3%，台廠南亞科則占1%。

由於每顆 AI 伺服器所需的 eSSD 控制器仍需搭配一顆 DDR4 做為緩衝。在三大原廠產能遭到 HBM 與 DDR5 嚴重排擠，並陸續退出 DDR4 市場後，台廠將享有顯著的「大廠退出紅利」，穩健卡位 AI 供應鏈。

其中，南亞科產能受到排擠效應顯著，下半年位元出貨量預估成長15%。凱基投顧預估，南亞科2026~2028年產能將擴張69%，居所有記憶體原廠之首；該公司計畫於泰山新廠導入 1C/1D 先進製程，生產雲端伺服器用 DDR5 RDIMM 模組，同時於今年底切入高通 ASIC 供應鏈，於客製化 WoW（Wafer on Wafer）及 HBM-like 領域展開深度布局。

南亞科亦與國際 NAND 大廠簽有長期合約，占比已達總產能的50%，客戶涵蓋 Google、輝達、超微等 AI 巨頭，法人持續看好南亞科未來3~5年穩定出貨與高毛利。


華邦電亦受惠於 DRAM 產能排擠與 DDR4 價格續漲，第2季價格漲幅有望落在原預估50%~60%上緣，預期2026全年位元出貨將強勁成長80%。

Vera Rubin規格升級：點火NOR報價

大摩報告指出，輝達下半年放量的 Vera Rubin 架構，對 NOR Flash 的容量需求比現有 Blackwell 架構大幅增加50%以上。在美系大廠削減 NOR 供應、產能轉向高利潤 DRAM、NAND 產品之際，供應將集中於旺宏等台廠，預期第三季 NOR 報價將上漲30%～40%，並在第四季持續走揚。



地緣政治：多軌分散採購成企業對策

此外，地緣政治正全面改變全球記憶體買方的採購地圖。美國透過《晶片法案》限制技術輸出並加速供應鏈回流，歐洲試圖建立自主生態系，而中國在 EUV 設備受阻下；中國轉向全面國產化路線；南韓重資打造材料本土化聚落；而台灣則在晶圓代工與 CoWoS 先進封裝上掌握技術主導權。

面對常態性記憶體缺貨週期，IDC 建議，在主要原廠先進製程遭 AI 綁定的現狀下，企業應落實「多軌分散採購策略」。中低階的常規應用，應適度將需求分散至南亞科、華邦電或長鑫存儲等傳統製程原廠，方能確保多變市況下的供應鏈韌性。