記憶體修正後狂潮再起？ 陸行之：手機排擠效應來了、保守看記憶體

記憶體產業消息不斷，近期股價修正告一段落後，市場重新檢視需求，川普政府表明立場，反對蘋果採購中國記憶體晶片。半導體分析師陸行之表示，全球存儲記憶體產業的 capital density 仍非常有紀律的被大廠維持著。但漲價排擠效應造成的手機，電腦需求不振，未來營利率續創新高恐有限，因此對記憶體產業保持觀望態度，建議關注全球記憶體資本支出、客戶庫存月數的變化。

陸行之指出，全球記憶體產業鏈最近的回檔整理告一段落，第二季記憶體資本支出年增明顯加速，但capital density 還創歷史新低至13%，第三季DRAM/NAND的價量齊揚仍明顯高於市場預期。但連續性漲價驅動下游模組、AI伺服器組裝廠因擔心旺季缺貨而加碼建立了歷史新高的庫存月數。

DRAM/NAND Flash 的價格在第二季有超過50%的漲幅，在過去一年有超過200%的漲幅。根據彭博社分析師預估 2026年的66%，2027年的35%，2028年的14%資本支出年增來比較，假設記憶體合約價格穩定，未來幾年的 capital density 可能會保持在相對健康的20%以下，除非未來幾個季度，存儲記憶體大廠將其資本支出大幅上修超過分析師預期而影響數據分析。

陸行之認為，雖然短期資本支出被明顯拉高，但全球存儲記憶體產業的 capital density 仍非常有紀律的被大廠維持著。但漲價排擠效應造成的手機，電腦需求不振，未來營業利潤率續創新高的空間受到壓抑，因此對記憶體產業保持觀望態度，建議下半年持續關注全球記憶體產業的資本支出、客戶庫存月數的變化。