【華邦電法說】陳沛銘：記憶體供需明年更吃緊！客戶長約排到2030年

記憶體大廠華邦電子今日（8/6）召開法說會，公布第二季營運報告。面對全球記憶體供不應求市況，華邦電總經理陳沛銘直言，「2027年市場會比2026年更加吃緊！」該公司董事會已通過高雄廠 Module B（二期廠房）建廠計畫，預計2027年1月動工、2029年量產。

華邦電在法說會中釋出強勁的營運展望。陳沛銘表示，受惠於記憶體價格全面走揚與產品組合優化，第二季營業淨利率已達48.4%，第三季更將全力挑戰突破50%大關。

面對第三季記憶體價格上揚趨勢，他強調，華邦電身為全球 NOR Flash 龍頭，極為珍惜市場佔有率，價格調整將採取順應市場的溫和調漲策略。華邦電不參與現貨市場擺盪，以季度合約價，提供客戶長期穩定的供貨承諾。

陳沛銘分析，第二季通訊與電腦領域需求強勁，營收分別季增82%與接近90%。特別是在AI伺服器與大型機櫃應用中，對於大容量、高密度NOR Flash 的需求呈爆發式成長，單台設備需使用高達500至600顆512Mb、1Gb甚至2Gb的NOR Flash。在三大記憶體原廠淡出DDR3及成熟製程的市況下，引發基站、網通Switch與資料中心基礎設施客戶爭相向華邦電「搶貨」。

在SLC NAND部分，華邦電積極推進至4GB及8GB，獲得邊緣AI與車用客戶大量採用。公司亦預估明年出貨給企業級SSD客戶，快取記憶體的業績將可望占整體DRAM營收的10%。

為緩解產能瓶頸，華邦電高雄廠 Module A 產能正由1.5萬片加速擴充至年底的2.4萬片，主要由20奈米與25奈米貢獻，未來將進一步導入16奈米，總出貨量可望實現翻倍成長。陳沛銘表示，隨著高雄廠擴產進行，華邦電同步將台中廠DRAM產能由1.2萬片降至7,000片，實現區域生產調配。

陳沛銘指出，由於客戶搶簽長約（LTA）一路排到2028年乃至2030年，華邦電已啟動高雄廠 Module B（二期廠房）計畫，將採「分階段裝機」推進。二期樓地板面積為一期的兩倍，最高可容納5萬至6萬片月產能。預計2027年1月動工、2029年1月裝機，並於2029年底正式量產，主攻14奈米及下一代12奈米，且將在第二階段正式導入EUV設備，提前佈局2030年後的先進記憶體市場。

除了3D堆疊晶片CUBE產品線外，華邦電在矽電容領域取得重大突破。陳沛銘透露，華邦電目前量產的矽電容電容密度已超越所有同業。矽電容製程的高毛利與強勁AI封裝需求，已吸引數家重量級客戶主動洽詢，華邦電將陸續送樣並導入量產。

他繼續指出，華邦電矽電容採用獨特的 Stacking（堆疊式）技術，如同在晶片平地上蓋高樓，相較於晶圓代工廠採用的深溝槽挖掘做法，堆疊式具備極高的成本與容積優勢。隨著AI晶片功耗與速度飆升，具備薄型化、穩定度高優勢的矽電容可望成為替代傳統MLCC的解方。