競爭加劇? SK海力士ADR跌破發行價、長鑫掛牌狂飆　記憶體股遭血洗 跌停排排站

記憶體股再度遭遇沉重賣壓，甫於本月掛牌的SK海力士美國存託憑證（ADR）股價失守發行價，加上中國記憶體大廠長鑫科技（CXMT）上市首日吸金暴漲逾4倍，外傳中國自主研發浸潤式深紫外光（DUV）曝光機傳出開始量產，多重利空衝擊全球記憶體產業，台灣記憶體族群今天全面重挫，包括南亞科、華邦電、旺宏都跌停鎖死。

SK海力士ADR於7月9日以每股149美元掛牌，是今年美國規模最大的IPO之一。不過，美股週一（27日）在半導體族群遭拋售下，SK海力士ADR盤中一度重挫10%，雖然尾盤跌幅收斂，終場仍收143.02美元，較發行價低約4%，成為繼SpaceX之後，一起成為今年美國大型IPO中股價首度跌破承銷價的企業。

另一方面，中國長鑫科技昨(7/27)在上海證券交易所科創板掛牌，以每股8.66元人民幣上市，首日最高一度飆升逾490%，終場收49元人民幣，較承銷價漲4.65倍。市場憂心，若中國記憶體產能快速擴張，恐加劇全球DRAM市場競爭。

今天利空衝擊也迅速反映在台股，記憶體概念股成為盤面重災區，南亞科（2408）、華邦電（2344）、旺宏（2337）、力積電（6770）、群聯（8299）、晶豪科（3006）、力成（6239）、鈺創（5351）等全面重挫，盤中紛紛亮燈，呈現跌停排排站的景況。

除了供給疑慮之外，市場另一項關注焦點來自中國半導體設備技術突破。美國科技媒體《The Information》報導，中國已開始生產自主研發的浸潤式深紫外光（DUV）曝光機，預計今年將交付包括中芯國際、華虹半導體及長鑫存儲等中國主要晶片製造商。

過去浸潤式DUV曝光機長期由ASML主導供應，加上近期外傳新產品要價過高，指標性先進大廠延後採用，市場擔憂中國設備自主化後將逐步削弱ASML技術優勢。消息傳出後，ASML股價重挫逾7%，也進一步加深市場對全球半導體設備與記憶體產業競爭加劇的疑慮。

法人指出，短期市場情緒受到中國記憶體擴產及設備自主化消息衝擊，不過DRAM市場後續仍須觀察AI伺服器、高頻寬記憶體（HBM）需求，以及新增產能實際開出速度，若供需維持平衡，對產業長期獲利的影響仍有待進一步驗證。