【聯電法說】2027年成長來自價值提升！王石：估ASP年增10% 三年後AI營收比重達25%

晶圓代工廠聯電今（10/28）日召開法說會，執行長王石指出，隨著成熟與特殊製程需求持續強勁，聯電正積極與客戶進行價格談判，預期2027全年平均銷售單價（ASP）將實現高個位數至約10%的顯著年增率。在短期產能趨於飽和下，聯電將由「出貨量的擴張」正式轉型為由「產品價值的提升」驅動成長，全力翻轉營收與獲利結構。

王石預期，聯電今年的成長動能將會延續到2027年。主要得益於聯電在特殊製程技術與高價值應用領域的領先地位。今年成長主要來自出貨量的增加、產能利用率的提升以及毛利率的改善。

展望2027年，由於聯電短期產能已趨於飽和，出貨量的成長將相對受限。因此，成長的關鍵將轉向「產品價值的提升」，也就是每片晶圓的平均銷售單價（ASP）提高，以及特殊製程對營收和獲利貢獻的增加。

王石表示，聯電採取具建設性且著重價值的定價策略，目前正積極與客戶進行價格談判，特別是產能吃緊的22奈米製程，整體價格已出現明顯的轉變。預期平均單價（ASP）將從2027年第一季開始出現顯著改善，估2027全年ASP將實現高個位數至約10%的年成長率。

熱門製程產能吃緊　積極啟動產能轉化

王石表示，聯電22/28奈米特殊製程（如高階電源管理IC、顯示驅動IC）需求爆滿，客戶排隊等產能；但部分40奈米或特定8吋產能利用率相對還有空間。因此，為了應對客戶今年第四季與2027年急迫需求，聯電正在將部分現有的12吋產能進行轉換，將部分利用率較低或舊有的產能改裝升級為強勁需求的新製程，以解除產能瓶頸。

展望未來，王石強調，AI 需求依然是關鍵的成長引擎。除了傳統 AI 算力外，市場對電源管理IC、記憶體效能、高速傳輸介面IC以及先進封裝的急迫需求大幅增加。

在新興技術方面，矽光子、電源傳輸與高頻寬記憶體（HBM）相關的架構正在翻轉 AI 基礎設施。在非 AI 領域，也看到車用與消費性電子的持續復甦。

加碼擴充矽光子產能　2028年底量產

王石強調，聯電正加快投資腳步，擴充產能以滿足客戶需求。在矽光子部分，規劃月產能約1.9萬片；eDTC（嵌入式深溝槽矽電容）約2.2萬片；薄膜鈮酸鋰（TFLN）調變器／冷卻模組約2000片。

他繼續指出，聯電下一階段大規模產能將於2028年底開始裝機、量產，並於2030年達到滿載規模。王石強調，這不是盲目的產能擴張，而是精準針對客戶已承諾的需求所進行的資本投放，這將使聯電在未來 AI 基礎設施的巨大商機中佔據極佳位置。

掌握關鍵封裝技術　2029年AI營收看25%

王石表示，在先進封裝與矽光子領域，聯電的技術涵蓋了業界領先的混合鍵合（Hybrid Bonding）、晶片對晶圓（Chip-to-Wafer）與晶圓對晶圓（Wafer-to-Wafer）技術。在 eDTC解決方案上，聯電已完成AI伺服器客戶的驗證，正在解決 AI 算力的供電瓶頸。

王石指出，過去，AI 相關營收占聯電總營收的比重較低；但預計在未來三到四年內，到了2029年，AI 相關業務將占聯電總營收的四分之一（25%），成為聯電非常重要的營收支柱。

法人關切，明年毛利率是否有結構性的上升空間？對此，財務長劉啟東表示，產能利用率維持高檔與 ASP 提升，確實為毛利率帶來了正面的結構性向上空間。但隨著新廠與新設備投資的展開，折舊攤提費用將會增加，而原物料與基礎成本也有所上漲，需要與客戶共同承擔部分成本壓力。

王石也補充道，整體而言，高產能利用率與強勁的AI需求，有助於聯電維持相當健康的獲利結構與營運現金流。