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    【聯電法說】砸50億大舉擴產!王石:未來三年AI營收突破10億美元

    2026-07-29 18:52 / 作者 戴嘉芬
    聯電召開法說會公布第二季獲利情形。資料照。戴嘉芬攝
    晶圓代工廠聯電今(7/29)日召開法說會公佈2026年第二季營運報告。聯電執行長王石在會中表示,AI應用逐漸推升特殊製程需求,聯電今年AI相關營收將接近3億美元,展望未來三年,AI相關營收將突破10億美元(約新台幣324億元)目標。

    王石指出,全球半導體市場復甦雖呈非均勻性,手機與PC等消費性電子市場依舊疲弱,但由AI主導的剛性需求極為強勁,並已顯著外溢至記憶體、連線晶片與電源管理等領域。

    聯電預估第三季產能利用率將一舉攀升至90%以上,其中12吋晶圓產能利用率將超越公司平均,8吋廠利用率亦回升至85%水準。王石強調,得益於聯電在AI及非AI市場市佔率的提升,今年聯電全年晶圓出貨量將呈現逐季與年度成長。

    在定價策略方面,聯電堅持「價值型定價」,不隨市場短期波動,隨整體需求改善,正與客戶開展具建設性的價格討論,年度價格趨勢優於預期。

    為了搶佔AI帶來的龐大商機,聯電董事會核准將近50億美元(新台幣1486.8億元)的資本支出預算,預計於未來兩至三年內分階段投入。這筆資金將用於興建新加坡P4廠無塵室和南科台南12A新廠(P7、P8);今年資本支出也從15億美元上調至20億。

    其中,新加坡P4廠將建置先進無塵室與設備,打造矽光子專屬產能;現有P3廠則導入高壓電源管理與矽光子,預計2027年底至2028年初投入量產。

    王石指出,不同於同業多採用8吋廠生產矽光子,聯電推出業界首創的12吋矽光子解決方案,在傳輸損耗與良率控制上展現卓越效能;同時擁有全球首發量產的鈮酸鋰薄膜(TFLN)調製器技術,專攻400G及 3.2T以上的極速光傳輸需求。

    而台南12A新廠則為先進封裝與客製化記憶體堆疊奠定基礎,搶攻2.5D中介層、Wafer-to-Wafer混合鍵合等高階應用。目前聯電已有超過10家客戶、逾35款先進封裝新產品正進行開發,預計2026至2027年完成設計定案(Tape-out)。

    財務長劉啟東補充說明,隨新加坡新無塵室與台南新廠持續建置,未來兩年聯電的折舊費用預計將以「低雙位數」的幅度逐年上升。儘管短期折舊增加會對毛利率曲線產生擺盪,但矽光子與先進封裝等高價值新專案,將持續顯著提升聯電的獲利能力。

    提到與英特爾合作12奈米進度,王石透露,目前進展相當順利,預計今年底完成PDK製程設計套件,預計2027年正式啟動設計定案,並於2028年迎來具規模的量產貢獻。聯電強調,未來將以此項12奈米合作為獲利增益模式,在互利互惠原則下,持續探索下一世代更先進節點的跨國合作可能性。

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