美光收購力積電銅鑼廠,研調認為2027年全球DRAM供給有上修空間。圖為力積電大樓
上週六傍晚,記憶體大廠美光宣布以18億美元收購力積電銅鑼廠,雙方將建立長期的DRAM先進封裝代工關係。研調機構今日(1/19)指出,此合作案將有利美光增添先進製程DRAM產能,並提升力積電成熟製程DRAM供應,預估2027年全球DRAM產業供給將有上修空間。
根據TrendForce最新DRAM產業調查指出,2025下半年開始,ASIC和AI推論分別帶動HBM3e、DDR5需求,並推升整體DRAM利潤率,促使美光加速擴充產能。
美光這次收購力積電銅鑼廠包括土地及廠房、無塵室,預期美光將可在2026至2027年分批移入既有及新訂購的設備,以DRAM先進製程的前段設備為主,並於2027年投入量產。預估銅鑼一期在2027年下半年可貢獻的產能,將相當於美光2026年第四季全球產能的10%以上。
據TrendForce統計,2025年第三季美光在全球DRAM產業的營收市占率為25.7%,排名第三。2024年起AI帶動HBM、DDR5、LPDDR5X等先進製程DRAM產品需求,美光除了持續執行美國ID1、新加坡HBM後段產能建設外,還積極向外收購廠房,以縮短產能建置時程。
在銅鑼廠之前,美光在台灣已收購友達台南廠2座、友達晶材在台中的廠房,以及光燿的台中廠房,作為晶圓測試、金屬化、HBM TSV等各項用途。美光亦規劃將部分新加坡NAND Flash無塵室改用於DRAM 金屬化。
TrendForce認為,此次銅鑼廠收購案對力積電的意義是:其現有DRAM產能主要採用25nm、38nm製程,因此DDR4產線暫時止步於容量較小的產品。在與美光簽署合作意向書後,預計未來一年內將獲得美光授權1Y nm製程,後續並有機會再取得1Z nm製程授權,可支持其提升DDR4產品容量。此舉將有利力積電保持在消費端DRAM市場的製程競爭力,同時擴大位元產出,又不與美光的先進產品線互相競爭。