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    南亞科去年每股賺2.13元!轉虧為盈 擬配發1.35元股利、8/6發放

    2026-05-21 10:08 / 作者 戴嘉芬
    南亞科週四召開股東會,由董事長鄒明仁(前排右)主持,左為總經理李培瑛。業者提供
    DRAM記憶體大廠南亞科今日(5/21)召開年度股東常會,由董事長鄒明仁主持。受惠全球記憶體市場供需結構改善,南亞科2025年全年合併營收665.9億元,年增95.1%;稅後淨利66.1億元,每股盈餘2.13元。為將盈餘回饋股東,南亞科擬於8月6日發放現金股利總額為46.5億元,依私募後總發行股數34.5億股計算,每股配發1.35元。

    鄒明仁指出,去年第二季起,主要記憶體大廠陸續終止DDR4與LPDDR4供應規劃,將產能轉向HBM與高容量DDR5產品,帶動DRAM價格顯著上揚,南亞科自去年第三季起產銷狀況改善並轉虧為盈。其中第三季單季獲利15.06億元,第四季更大幅攀升至111億元。

    他表示,目前AI需求正改變整個記憶體產業型態。AI伺服器架構持續升級,包括HBM、RDIMM、eSSD、NIC及BMC等元件,都大幅增加DRAM搭載量;終端產品方面,PC與高階手機因導入AI功能與邊緣運算,也持續提升記憶體需求。

    南亞科指出,目前主要供應商持續縮減DDR4與LPDDR4供給,並將產能轉向HBM及DDR5等高階產品,市場已出現供給吃緊情況,部分客戶也開始要求簽訂長期供應合約。

    展望2026年,鄒明仁表示,AI伺服器與一般伺服器對HBM及DDR5需求將持續擴大;AI手機則帶動高容量LPDDR需求增加。雖然整體PC出貨量可能微幅下滑,但因DRAM搭載容量提升,整體需求仍可望成長

    製程布局方面,南亞科10奈米級第二世代製程技術(1B)已量產16Gb DDR5、8Gb DDR4與 4GbDDR4產品;後續將推出16Gb DDR4、8Gb/16Gb LPDDR5及LPDDR4 等產品。結合矽穿孔(TSV)製程技術開發的 128GB DDR5 RDIMM 5600/6400 Mb/s的伺服器用產品,已通過功能性測試。

    此外,10奈米級第三世代(1C)製程技術16GbDDR5,預計於2026年下半年完成驗證;第四世代(1D)製程技術16Gb DDR5,預計今年第2季導入試產。南亞科並指出,客製化超高頻寬記憶體已開始有營收貢獻,預計2027年上半年增加營收。

    南亞科表示,已於2026年4月完成私募並取得股款約787億元,將用於支應先進記憶體製造之廠務與生產設備,並且強化南亞科與客戶的合作關係、建立在AI/CSP供應鏈中的雙贏及確立南亞科在 AI價值鏈的市場地位。新廠擴建規劃預計於2027年第一季開始裝機,並於下半年開始量產。

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