英飛凌擴大12 吋 GaN生產規模　　今年Q4送樣

氮化鎵（GaN）半導體需求持續增長，英飛凌具備GaN市場領先垂直整合製造商（IDM）的地位，宣佈其在 12 吋晶圓上的可擴展GaN 生產進度正按計畫進行。預計今年第四季將向客戶提供首批樣品，透過擴大客戶基礎，期望鞏固其作為GaN領先企業的地位。

英飛凌專精於三種材料的相關技術：矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）。憑藉更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗，氮化鎵半導體可實現更精簡的設計，從而減少智慧手機充電器、工業和人形機器人，以及太陽能逆變器等電子設備的能耗和熱量產生。


英飛凌氮化鎵業務線負責人Johannes Schoiswohl表示，英飛凌全面擴大的12 吋 GaN生產規模，將協助客戶提供更高價值的產品，同時推動Si和GaN同類產品的成本接近性。在英飛凌宣佈突破12 吋 GaN晶圓技術近一年後，並且業界已經認可英飛凌GaN技術，在英飛凌作為IDM戰略優勢下所發揮的重要作用。

英飛凌的生產策略主要依據IDM 模式，即擁有從設計、製造和銷售最終產品的整個半導體生產流程。公司的內部生產策略是市場上的一個關鍵差異化因素，具有多重優勢，如能提供更高品質的產品、更快的產品上市時間以及出色的設計和開發靈活性。英飛凌致力於為氮化鎵客戶提供支援，並可擴大產能以滿足他們對可靠的GaN電源解決方案的需求。

英飛凌已成為首家在現有大批量生產基礎設施內成功開發出12 吋 GaN功率晶圓技術的半導體製造商。與現有的8 吋晶圓相比，12 吋晶圓上的晶片生產在技術上更加先進，效率也顯著提高，因為更大的晶圓直徑可使晶片生產效率提高 2.3 倍。

市場分析師預測， GaN在功率應用領域的營收將以每年36%的速度增長，到2030年達到約25億美元。英飛凌透過擁有專有的生產能力和強大的產品組合，去年發佈了40多款新型GaN產品，這使其成為尋求高品質GaN解決方案客戶的首選合作夥伴。