搶進AI手機換機潮 　慧榮推出6奈米UFS 4.0 控制晶片

NAND 快閃記憶體控制晶片廠慧榮 (SIMO) 今天宣布推出旗艦款6奈米SM2756 UFS 4.0 控制晶片，成為慧榮UFS控制晶片系列，以因應快速成長的 AI 智慧型手機、車用和邊緣運算等高效能應用需求。此外，慧榮也宣布推出全新第二代UFS3.1控制晶片SM2753。

SM2756 以領先的6奈米 EUV技術為基礎，並運用MIPI M-PHY 低功耗架構，使其在效能與功耗間取得平衡，滿足 AI 行動裝置全天候運算需求。SM2756 循序讀取效能超過每秒4,300 MB，循序寫入速度超過每秒 4,000 MB，支援各種 3D TLC 和 QLC NAND，且支援容量最高可達 2TB。

全新的第二代SM2753 UFS 3.1控制晶片解決方案採用高速序列連結的MIPI M-PHY HS-Gear4 x 2-Lane和 SCSI 架構模型 (SAM)。

繼SM2754 UFS3 控制晶片成功上市，慧榮進一步推出主打單通道設計的SM2753，支援次世代3D TLC和QLC NAND以達到每秒 2,150 MB/1,900MB的循序讀取/寫入效能，同步滿足主流與入門級手機、物聯網裝置以及車載應用的UFS3需求。

慧榮最新的UFS控制晶片解決方案搭載先進的LDPC ECC技術和SRAM資料錯誤偵測與修正功能，能強化資料可靠性、提升效能並減少功耗。支援最廣泛的快閃記憶體，包括所有NAND大廠所生產的3D TLC 和 QLC NAND 。

慧榮終端與車用儲存事業群資深副總段喜亭表示，SM2756採用6奈米EUV製程，滿足最新頂級智慧型手機對高效能、高容量與低功耗儲存的需求，符合次世代AI的功能和應用。全新的單通道 SM2753 UFS控制晶片能以更具成本效益、高效能與低功耗的產品，持續在廣大且不斷成長的UFS3市場中保持領先地位